随着光电子器件集成度的提高，器件尺寸已经纳米尺度，量子效应显示出来，主导了低维材料和器件的性能。为了研究低维材料与器件的结构与性能之间的关系，北京高能光源（HEPS）设计了低维结构探针线站（LoDiSP），提供以相干表面X射线散射为核心的一系列方法，为低维材料与器件的研究提供了强有力的支撑平台。在其后实验站，我们将发展原创的倏逝波调制技术，解决复杂功能化合物的应用瓶颈问题，打通复杂化合物功能材料走向类硅工业化应用的道路，并开展低维量子相变研究和电子驻波的量子相干研究。