2014年6月4日下午，法国科学院院士、2007年诺贝尔物理学奖获得者Albert Fert教授受邀来到清华大学，应量子物质科学协同创新中心“大师讲堂”之邀做了题为“Spin-orbitronics: a new direction in spintronics”的专题报告。“大师讲堂”由副校长薛其坤主持，来自清华大学、6163银河线路检测中心、中国科学院物理研究所、北京航空航天大学等单位近三百名师生，在清华大学主楼接待厅听取了报告。
Fert教授首先简单介绍了自旋－轨道电子学（Spin-orbitronics）在斯格明子（Skyrmions）、拓扑绝缘体（Topological insulators）、自旋霍尔效应（Spin Hall effect）、手性磁畴壁（Chiral domain wall）等研究领域的应用。随后，他结合其实验室过去和当前的研究成果，简要回顾了巨磁阻效应（GMR）的发现、原理及其在高密度计算机磁硬盘(HDD)磁信息存储、GMR磁头、传感器等方面的广泛应用。同时，他还介绍了与之相似的磁性隧道结和隧穿磁电阻(TMR)及自旋转移力矩效应（Spin transfer torque）等在最新研发磁性随机存储器(STT-MRAM)方面的进展。他还详细介绍了目前自旋电子学研究领域里新的研究方向——“自旋-轨道电子学”，特别是自旋-轨道相互作用等在产生磁性斯格明子过程中的物理机制及其研究进展，并预测了未来磁性斯格明子在高密度磁信息存储技术及其器件设计中的潜在应用前景。最后他还介绍了DM相互作用(Dzyaloshinskii-Moriya interaction，DMI)、Rashiba效应以及自旋霍尔效应对磁畴壁的旋性以及磁畴壁运动的影响。报告结束后，Fert教授在会场和与会师生开展了热烈的讨论。
会后，Albert Fert教授还参观了物理系薛其坤院士实验组和清华－富士康纳米科技研究中心，认真听取了他们最新的研究进展介绍，并与相关人员进行了讨论和交流。
